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今年11月，上机数控在官微表示，公司在碳化硅切割领域取得了较大突破，自行研发的碳化硅切片设备获得成功，开辟了“碳化硅设备国产替代进口”的先河。截至 我国碳化硅衬底项目已近30家. 碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率高等显著性能优势，在电动汽 中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总
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特斯拉是全球第一家将碳化硅 MOSFET 应用于商用车主逆变器的厂商，Model 3 的主逆变器采用了意法半导体生产的 24 个碳化硅MOSFET 功率模块。 比亚迪（002594、01211） 最大的成本贡献者是 SiC 衬底本身，可以相当合理地预测它会在未来一段时间内保持这种状态.. 截至 2021 年 9 月，100A 分立式 SiC MOSFET（650V 和 1200V）的零售价几乎 碳化硅（SiC）纵览—第 1 期：SiC 成本竞争力和降低
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当前整个碳化硅功率器件的市场规模在10亿美元左右，还没有迎来渗透率的拐点。根据Yole的预测，到2026年整个碳化硅功率器件的市场规模有望达到50亿美元，市场空间巨大，其
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